三星10奈米级闪存芯片3D V-NAND Flash在西安正式投产

作者: 刘涛、温超 　　日期: 2014-05-09

    

        总投资70亿美元的中国最大单笔外商投资项目——三星（中国）半导体有限公司9日在陜西西安正式投产。该工厂将生产世界上最新型的10奈米级闪存芯片：3D V-NAND。出席投产仪式的中国工业和信息化部部长苗圩表示，这座世界上最先进的半导体工厂将对中国半导体行业的发展产生重要的引领作用。
         三星存储芯片项目建设历时20个月，将为当地提供2000多个就业机会，并拉动100多个相关配套企业进驻西安，使当地形成一个过千亿元的半导体产业集群。作为南韩三星电子有史以来最大的海外投资项目，主要产品是由三星在去年成功研发的最新型闪存芯片3D V-NAND。
         在同行业中，只有三星电子开始量产V-NAND芯片。与此前的20奈米级NAND芯片相比，V-NAND采用立体堆栈方式扩大了存储容量，读写速度提高了2倍以上，使用寿命延长了10倍，耗电量减少了50％。
         据预测，2014年，中国将生产全世界32％的智慧手机、24％的计算机和23％的液晶电视。单在半导体市场，2014年中国已占据全世界半导体市场的48％，明年有望突破世界半导体产品消费量50％的目标。

来源： 国际在线